Создание технологии глубокой очистки гексаметилдисилазана для микроэлектронных производств
Н3. Новые материалы и химические технологии
О проекте:
Проект направлен на создание отечественной технологии глубокой очистки гексаметилдисилазана (ГМДС) — ключевого реагента для полупроводниковой промышленности.

Основная идея заключается в комбинации компьютерно-оптимизированной ректификации и прецизионной мембранной ультрафильтрации для достижения высочайшего стандарта чистоты.

Планируемым результатом является технологический процесс и установка для производства высокочистого ГМДС с чистотой ≥99.99% и содержанием металлических примесей <0.1 ppb (стандарт SEMI Grade 5).

Продукт предназначен для российских производителей интегральных схем и полупроводниковых приборов (ПАО «Микрон», АО «Ангстрем»).

Ключевые преимущества:
  • Импортозамещение: полная независимость от санкционных рисков.
  • Высокие параметры: чистота продукта на уровне лучших мировых образцов.
  • Экономическая эффективность: стоимость продукта на 20-30% ниже импортных аналогов.
  • Адаптивность: методология применима для очистки других особо чистых веществ.
Университет:
Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского (ННГУ)

Автор:
Вшивцев
Максим Анатольевич

Контакты:
mvshivtcev@mail.ru

Made on
Tilda